6英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底

                 6英寸半绝缘型4H-SiC衬底

             直径 Diameter：150 ± 0.2 mm

             厚度 Thickness：500 ± 25μm

             型号Type： HPSI

             产品类型：抛光片（Epi-ready）

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         主要应用于5G通信、雷达系统、导引头、卫星通信、战机等领域，具有提升射频范围、超远距离识别、抗干扰以及高速、大容量信息传递等应用优势，被视为制作微波功率器件最理想的衬底。（可定制）

        高纯半绝缘碳化硅单晶衬底  主要应用于5G通信、雷达系统、导引头、卫星通信、战机等领域，具有提升射频范围、超远距离识别、抗干扰以及高速、大容量信息传递等应用优势，被视为制作微波功率器件最理想的衬底。

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