4半绝缘型4H-SiC衬底
 

               直径 Diameter：100± 0.2 mm

             厚度 Thickness：500 ± 25μm

             型号Type： HPSI

             产品类型：抛光片（Epi-ready）

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      全球宽禁带半导体材料及器件正处于快速发展期，产品广泛应用于5G通信、轨道交通、新能源汽车及充电桩、新能源、储能、大数据中心、工控等下游领域。其中，半绝缘型碳化硅衬底主要应用于5G通信、雷达系统、导引头、卫星通信、战机等领域，具有提升射频范围、超远距离识别、抗干扰以及高速、大容量信息传递等应用优势，被视为制作微波功率器件最理想的衬底。以半绝缘型碳化硅衬底为基础制备的射频器件具有与硅基器件相比具有更高的工作频率和功率密度等特点，因此随着通信技术的迭代，具有明确而广泛的应用前景。