4英寸导电型碳化硅衬底
- 4 英寸导电型4H-SiC衬底、切割片
直径:150 ± 0.2 mm
厚度:350 ± 25μm
导电类型:n-type
产品类型:抛光片(Epi-ready)
碳化硅衬底的优点包括:
1、高温、高压、高频、大功率应用:碳化硅具有较高的热导率、击穿电场强度和饱和电子漂移速率,使其成为制作高温、高压、高频、大功率器件的理想材料。
2、优异的材料属性:碳化硅衬底具有宽禁带、高电阻率、高热导率等特性,这些特性使其在微波电子、电力电子等领域具有显著优势。
3、广泛的应用场景:碳化硅衬底分为半绝缘型和导电型两种,分别适用于射频器件和功率器件,广泛应用于5G通讯、国防军工、电动汽车等领域。