4英寸导电型碳化硅衬底
目前提供2-8英寸 N-tybe SiC substrate
碳化硅（ SiC ）是一种性能优越的新型化合物半导体材料。碳化硅半导体具有大禁带宽度（约为硅的3倍）、高临界场强（约为硅的10倍）、高热导率（约为硅的3倍）等优良特性，是制作高温、高频和大功率电力电子器件（电力芯片）的理想半导体材料。同时，也是仅次于钻石的优良的半导体材料。
目前我们提供标准的N型碳化硅衬底晶片。用于肖特基二极管（ SBD )、金属氧化物半导体场效应晶体管（ MOSFET )、结型场效应晶体管（ JFET ）和双极结型晶体管（ BJT ）的制作。这些电力电子器件可广泛应用于包括太阳能逆变器、风力发电储能、混合动力、电动汽车、充电桩、智能电网、家用电器等绿色能源和节能系统。
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