碳化硅MOS SBD晶圆

  
        碳化硅二极管和碳化硅 MOSFET芯片目前已有产品650V、900V、1200V和1700V等各种规格及客需化定制。随着第一代硅半导体及第二代砷化镓半导体材料发展的成熟，其器件应也趋于极限。现代科技越来越多的领域需要工作频率高，功率密度高，耐高温，化学稳定性好以及可以在强辐射环境中工作的材料，因此第三代半导体(即宽禁带半导体，禁带宽度大于2.2eV)受到了人们的极大关注，这些材料包括SiC，GaN,金刚石等。